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| 品牌：cypress | 型号：CY7C1021D-10VXI | 类型：存储器 |
| 存储容量：64K x 16 | 针脚数：48/44pin | 用途：*** |
| 封装：TSOP II | 系列：CY7C1021D-10VXI | 功率：低功耗 |
| 批号：2018+ | 特色服务：库存现货 | 产品说明：卷装或盘装 |
| 货号：18+ | 是否跨境货源：否 | 包装：真空包装 |
| 应用领域：***/航天、 汽车电子、 医疗电子、 智能家居 | 低功耗SRAM：容量存储器 | 存储器芯片：半导体存储器 |
| sram：dram |
cypress静态存储器CY7C1021D-10VXI
SRAM主要用于二级高速缓存（Level2 Cache)。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。SRAM半导体存储器不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，功耗较小，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM。
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