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品牌:CYPRESS | 型号:FM25640B-G | 类型:存储器 |
存储容量:1,048,576-bit | 针脚数:48/44pin | 用途:*** |
封装:TSOP II | 系列:FM25640B-G | 功率:低功耗 |
批号:2018+ | 特色服务:库存现货 | 产品说明:卷装或盘装 |
货号:18+ | 是否跨境货源:否 | 包装:真空包装 |
应用领域:***/航天、 汽车电子、 医疗电子、 智能家居 | 低功耗SRAM:容量存储器 | 存储器芯片:半导体存储器 |
sram:dram |
FM25640B-G原厂现货铁电存储器
Everspin MRAM是一种具有革命性的存储器,其原理是利用电子自旋的磁性结构,来提供不会产生损耗的非挥发特性。Everspin MRAM可在集成了硅电路的磁性材料中存储信息,以在单一、可***使用的组件中提供SRAM的速度以及闪存的非挥发特性。
MRAM集成了 SRAM 的高速读写性能与闪存存储器的非易失性,它可以作为一个单一的存储器件,用于既需要快速、大量存储数据,又需要断电后保持数据,并可快速恢复的系统中。
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