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原厂现货FM31256-G芯片存储器FRAM

原厂现货FM31256-G芯片存储器FRAM

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    广东 深圳 宝安区 西乡立交万骏汇1426
品牌:CYPRESS型号:FM25CL64B-G类型:存储器
存储容量:1,048,576-bit针脚数:48/44pin用途:***
封装:TSOP II系列:FM25CL64B-G功率:低功耗
批号:2018+特色服务:库存现货产品说明:卷装或盘装
货号:18+是否跨境货源:否包装:真空包装
应用领域:***/航天、 汽车电子、 医疗电子、 智能家居低功耗SRAM:容量存储器存储器芯片:半导体存储器
sram:dram

    原厂现货FM31256-G芯片存储器FRAM,FM31256-GFRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储,铁电晶体的结构如图1所示。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时,晶体中心原子在电场的作用下运动,并达到一种稳定状态;当电场从晶体移走后,中心原子会保持在原来的位置。这是由于晶体的中间层是一个高能阶,中心原子在没有获得外部能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置,因此FM31256-G保持数据不需要电压,也不需要像DRAM一样周期性刷新。由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性,与电磁作用无关,所以FM31256-G存储器的内容不会受到外界条件诸如磁场因素的影响,能够同普通RO

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