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品牌:CYPRESS | 型号:FM25CL64B-G | 类型:存储器 |
存储容量:1,048,576-bit | 针脚数:48/44pin | 用途:*** |
封装:TSOP II | 系列:FM25CL64B-G | 功率:低功耗 |
批号:2018+ | 特色服务:库存现货 | 产品说明:卷装或盘装 |
货号:18+ | 是否跨境货源:否 | 包装:真空包装 |
应用领域:***/航天、 汽车电子、 医疗电子、 智能家居 | 低功耗SRAM:容量存储器 | 存储器芯片:半导体存储器 |
sram:dram |
原厂现货FM31256-G芯片存储器FRAM,FM31256-GFRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储,铁电晶体的结构如图1所示。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时,晶体中心原子在电场的作用下运动,并达到一种稳定状态;当电场从晶体移走后,中心原子会保持在原来的位置。这是由于晶体的中间层是一个高能阶,中心原子在没有获得外部能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置,因此FM31256-G保持数据不需要电压,也不需要像DRAM一样周期性刷新。由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性,与电磁作用无关,所以FM31256-G存储器的内容不会受到外界条件诸如磁场因素的影响,能够同普通RO
我司专业代理JSC(EMLSL)、NETSOL(韩国sram)、EVERSPIN(FM31256-G)、***com(光耦) 、IPSILOC(SPI-SRAM ) 等***,英尚微电子总代理NETSOL存储器sram|everspin存储器MRAM|jsc济州半导体|ISSI芯成|CYPRESS赛普拉斯ISSI存储芯片,SRAM,DRAM,各类存储器memory芯片ic,一级代理,库存现货,
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