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| 品牌：CYPRESS | 型号：FM24V10-G | 类型：存储器 |
| 存储容量：4 Mb F-RAM | 针脚数：44pin/48pin | 用途：电脑 |
| 封装：VFBGA | 系列：FM24V10-G | 功率：低功耗 |
| 批号：2018+ | 特色服务：库存现货 | 产品说明：卷装或盘装 |
| 货号：18+ | 是否跨境货源：否 | 包装：真空包装 |
| 应用领域：***/航天、 汽车电子、 医疗电子、 智能家居 | 低功耗SRAM：FeRAM存储器 | 存储器芯片：半导体存储器 |
| 存储器：MRAM存储器 |
CYPRESS存储器FeRAM存储器FM24V10-G，铁电存储器（FM24V10-G）是一种随机存取存储器，FM24V10-G将动态随机存取存储器（DRAM）的快速读取和写入访问——它是个人电脑存储中最常用的类型——与在电源关掉后保留数据能力（就像其他稳定的存储设备一样，如只读存储器和闪存）结合起来。由于FM24V10-G不像动态随机存取存储器（DRAM）和静态随机存取存储器（SRAM）一样密集（即在同样的空间中不能存储像它们一样多的数据），它很可能不能取代这些技术。然而，由于它能在非常低的电能需求下快速地存储，它有望在消费者的小型设备中得到广泛地应用，比如个人数字助理（PDA）、手机、功率表、智能卡以及安全系统。铁电存储器（FRAM）比闪存更快。在一些应用上，它也有可能替代电可擦除只读存储器（EEPROM）和静态随机存取存储器（SRAM），并成为未来的无线产品的关键元件。
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