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| 品牌：CYPRESS | 型号：FM25L16B-DG | 类型：存储器 |
| 存储容量：4 Mb F-RAM | 针脚数：44pin/48pin | 用途：闪灯 |
| 封装：VFBGA | 系列：FM25L16B-DG | 功率：低功耗 |
| 批号：2018+ | 特色服务：库存现货 | 产品说明：卷装或盘装 |
| 货号：18+ | 是否跨境货源：否 | 包装：真空包装 |
| 应用领域：***/航天、 汽车电子、 安防设备、 医疗电子、 3C数码 | 低功耗SRAM：容量存储器 | 非挥发性存储器：非挥发性存储器 |
| 铁性存储器：MRAM存储器 |
CYPRESS非挥发性存储器FM25L16B-DG，铁电存储器（FRAM，ferroelectric RAM）是一种随机存取存储器，它将静态随机存取存储器（DRAM）的疾速读取和写入拜访——它是小我电脑存储中最常用的范例——与在电源关掉后保存数据才能（就像其余稳定的存储装备非常，如只读存储器和闪存）联合起来。因为铁电存储器不像静态随机存取存储器（DRAM）和静态随机存取存储器（SRAM）非常集（即在非常的空间中不克不及存储像它们非常多的数据），它很可能不克不及代替这些技巧。但是，因为它能在非常低的电能需要下疾速地存储，它无望在消费者的小型装备中获得普遍地利用，好比小我数字助理（PDA）、手机、功率表、智能卡和平安体系。铁电存储器（FRAM）比闪存更快。在一些利用上，它也有可能替代电可擦除只读存储器（EEPROM）和静态随机存取存储器（SRAM），并成为将来的无线产品的症结元件。
MRAM(Magnetic Random Access Memory) 是一种非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以***次地重复写入
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