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| 品牌：CYPRESS | 型号：CY15B256J-SXA | 类型：存储器 |
| 存储容量：4 Mb F-RAM | 针脚数：44pin/48pin | 用途：手机 |
| 封装：VFBGA | 系列：CY15B256J-SXA | 功率：低功耗 |
| 批号：2018+ | 特色服务：库存现货 | 产品说明：卷装或盘装 |
| 货号：18+ | 是否跨境货源：否 | 包装：真空包装 |
| 应用领域：***/航天、 汽车电子、 医疗电子、 智能家居 | 低功耗SRAM：容量存储器 | 磁阻式随机访问存储器：磁阻式随机访问存储器 |
| 存储器：磁性存储器 |
CYPRESS磁阻式随机访问存储器CY15B256J-SXA，磁性随机存储器CY15B256J-SXA，简称STT-MRAM（spin-transfer torque magnetoresistence Random Access Menory），也叫自旋转移矩磁阻存储记忆体，是一种非易失性储存，其架构与传统MRAM相同，但耗电量更少，具备速度极快和耗电量低的优点，具备更好的存储密度拓展空间和信息保存能力。未来可望成为补充或者替代DRAM的产品之一。MRAM即磁阻式随机访问存储器存储器的供应商的简称。可以完全替换磁阻式随机访问存储器CY15B256J-SXA，MRAM集成SRAM的高速读写性能与闪存存储器的非易失性，它可以作为一个单一的存储器件，用于既需要快速、大量存储数据，又需要断电后保持数据，并可快速恢复的系统中。
深圳英尚微电子有限公司
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