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| 品牌：存储器 | 型号：FM25VN10-GTR | 类型：存储器 |
| 存储容量：64Kb - 4Mb | 针脚数：44pin/48pin | 用途：*** |
| 封装：TSOP II | 系列：FM25VN10 | 功率：低功耗 |
| 批号：2018+ | 特色服务：库存现货 | 产品说明：卷装或盘装 |
| 货号：18+ | 是否跨境货源：否 | 包装：真空包装 |
| 应用领域：汽车电子、 安防设备、 智能家居、 照明电子 | MRAM：容量存储器 | 存储器芯片：低功率MRAM存储器 |
| STT-MRAM存储器：MRAM存储器 |
MRAM是指以磁电阻性质来存储数据的随机存储器，它采用磁化的方向不同所导致的磁电阻不同来记录0和1，只要外部磁场不改变，磁化的方向就不会变化。不像DR AM为了耍保持数据需 i I ： 电流不断流动，MR A M不需要刷新的操作。从原理上来看。MRAM的莆复凄写次数近乎***次，片读取和写入速度接近S R A M。 同时，MRAM的存储元小，存储容量上呵与DR A M十 u 比拟 此外，穿隧式磁电阻材料有半导体材料所不具有的电阻值火的特点，使得其组件的功耗低。
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