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| 类型：存储器 | 存储容量：64Kb - 4Mb | 针脚数：44pin/48pin |
| 用途：*** | 品牌：CYPRESS | 型号：CY15B256Q-SXAT |
| 封装：TSOP II | 功率：低功耗 | 特色服务：提供样品 |
| 批号：16+ | MRAM：容量存储器 | 存储器芯片：低功率MRAM存储器 |
| 存储器：MRAM存储器 |
FRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储，铁电晶体的结构如图1所示。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时，晶体中心原子在电场的作用下运动，并达到一种稳定状态；当电场从晶体移走后，中心原子会保持在原来的位置。这是由于晶体的中间层是一个高能阶，中心原子在没有获得外部能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置，因此FRAM保持数据不需要电压，也不需要像DRAM一样周期性刷新。由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性，与电磁作用无关，所以FRAM存储器的内容不会受到外界条件诸如磁场因素的影响，能够同普通ROM存储器一样使用，具有非易失性的存储特性。
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