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| 类型：存储器 | 存储容量：4Kb - 4Mb | 针脚数：44pin/48pin |
| 用途：*** | 品牌：FM24CL64B-GATR | 型号：FM24CL64B-GATR |
| 封装：TSOP II | 功率：低功耗 | 特色服务：提供样品 |
| 批号：16+ | MRAM：容量存储器 | 存储器芯片：低功率MRAM存储器 |
| 存储器：MRAM存储器 |
Everspin 的***MRAM技术是以可沉积在标准逻辑制程上的磁性隧道结 (MTJ)储存单元为基础。MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层(fixed layer)，和一个通过隧道结(tunnel barrier)与其隔离的自由层(free layer)。当自由层被施予和固定层相同方向的极化时，MTJ的隧道结便会显现出低电阻特性。而当自由层被施予反方向的极化时，MTJ便会有高电阻。此一磁阻效应可使MRAM不需改变内存状态，便能快速读取数据。
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