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| 品牌：CYPRESS | 型号：FM25V20A-DG | 类型：存储器 |
| 存储容量：64Kb - 4Mb | 针脚数：44pin/48pin | 用途：*** |
| 封装：TSOP II | 系列：FM25V20A-DG | 功率：低功耗 |
| 批号：2018+ | 特色服务：库存现货 | 产品说明：卷装或盘装 |
| 货号：18+ | 是否跨境货源：否 | 包装：真空包装 |
| 应用领域：***/航天、 汽车电子、 医疗电子、 3C数码、 新能源 | MRAM：容量存储器 | 存储器芯片：低功率MRAM存储器 |
| 存储器：MRAM存储器 |
FRAM（Ferromagnetic Random Access Memory），铁电随机存取存储器。FRAM由麻省理工学院***提出，利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储，使其铁电存储产品同时拥有随机存储器和非易失性存储器的特性。FRAM存储器的优点是可在失去电力的情况下，资料毫不受损，且写入速度极快，重复写入的次数高，几乎是***次数，可大量取代EEPROM应用；其缺点为FRAM存储器的价格仍是大幅高于EEPROM约2~3倍之多。
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