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| 品牌：ISSI | 型号：IS61NVP204836B | 类型：存储器 |
| 存储容量：72Mb | 针脚数：44pin/48pin | 用途：手机 |
| 封装：TSOP II | 系列：IS61NVP204836B | 功率：低功耗 |
| 批号：2018+ | 特色服务：库存现货 | 产品说明：卷装或盘装 |
| 货号：18+ | 是否跨境货源：否 | 包装：真空包装 |
| 应用领域：***/航天、 安防设备、 医疗电子、 3C数码、 可穿戴设备 | SRAM芯片存储器：集成电路存储 | SRAM芯片：汽车级SRAM |
| 存储器：内存芯片 |
SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，功耗较小，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM显得更贵。
深圳英尚微电子有限公司
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