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| 品牌：CYPRESS | 型号：FM28V020-T28GTR | 类型：存储器 |
| 存储容量：4Kb - 4Mb | 针脚数：44pin/48pin | 用途：电视机 |
| 封装：TSOP II | 系列：FM28V020-T28GTR | 功率：低功耗 |
| 批号：2018+ | 特色服务：库存现货 | 产品说明：卷装或盘装 |
| 货号：18+ | 是否跨境货源：否 | 包装：真空包装 |
| 应用领域：***/航天、 汽车电子、 网络通信、 医疗电子、 智能家居 | MRAM：MRAM存储器 | 低功率MRAM存储器：低功率MRAM存储器 |
| 存储器：MRAM存储器 |
CYPRESS 低功率铁电存储器 FM28V020-T28GTR
STT-MRAM是可望取代传统DRAM、SRAM的新世代存储器技术。与目前的NAND Flash相比，写入速度快上10万倍，而读取速度则是快上接近10倍。由于STT-MRAM只要透过少量电力就可以驱动的非挥发性存储器，不使用时也完全不需要电力。
MRAM的另外一项特征是寿命时间***。NAND Flash反覆读写后，寿命就会大幅缩短。虽然最近靠着技术的发展，已经延长了NAND Flash的使用寿命，但仍未出现颠覆性的改善技术。
Everspin 的***MRAM技术是以可沉积在标准逻辑制程上的磁性隧道结 (MTJ)储存单元为基础。MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层(fixed layer)，和一个通过隧道结(tunnel barrier)与其隔离的自由层(free layer)。当自由层被施予和固定层相同方向的极化时，MTJ的隧道结便会显现出低电阻特性。而当自由层被施予反方向的极化时，MTJ便会有高电阻。此一磁阻效应可使MRAM不需改变内存状态，便能快速读取数据。
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