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| 品牌：CYPRESS | 型号：FM31276-G | 类型：存储器 |
| 存储容量：4Kb - 4Mb | 针脚数：44pin/48pin | 用途：手机 |
| 封装：TSOP II | 系列：FM31276-G | 功率：低功耗 |
| 批号：2018+ | 特色服务：库存现货 | 产品说明：卷装或盘装 |
| 货号：18+ | 是否跨境货源：否 | 包装：真空包装 |
| 应用领域：***/航天、 汽车电子、 医疗电子、 智能家居 | 非挥发性存储器：容量存储器 | 存储器芯片：低功率MRAM存储器 |
| 存储器：MRAM存储器 |
CYPRESS赛普拉斯 非挥发性存储器FM31276-G
MRAM的核心面积只有SRAM的1/2-1/4，也就是说同面积下缓存容量是SRAM的2-4倍，可以大大降低成本。
CPU的性能要想进一步提高，缓存容量也必须跟着提高才能容纳更多的数据和指令，而缓存占用的核心面积往往比核心更大。
MRAM足大多数手机 、 移动设备、膝上机、PC等数字产品的存储器的潜在替代产品。从MRAM芯片技术的特性上来看，可以预计它将能解决包括计算机或手机启动慢、数据丢失、数据装载缓慢、电池寿命短等问题，明显改变消费者使用电子没备的方式．
深圳英尚微电子有限公司
英尚国际有限公司
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