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| 品牌：CYPRESS | 型号：FM24VN10-G | 类型：存储器 |
| 存储容量：4Kb - 4Mb | 针脚数：44pin/48pin | 用途：电脑 |
| 封装：TSOP II | 系列：FM24VN10-G | 功率：低功耗 |
| 批号：2018+ | 特色服务：库存现货 | 产品说明：卷装或盘装 |
| 货号：18+ | 是否跨境货源：否 | 包装：真空包装 |
| 应用领域：***/航天、 汽车电子、 医疗电子、 智能家居 | 铁磁存储器：容量存储器 | 存储器芯片：低功率MRAM存储器 |
| 存储器：MRAM存储器 |
CYPRESS低功率MRAM存储器 FM24VN10-G
转矩MRAM(ST-MRAM)，它是第三代产品——2012年代芯片出现，比NAND闪存速度快500倍，但只能容纳64 Mbit的 数据。MRAM类似DDR3或DDDR4 RAM，但MRAM为非易失性——通电时数据不会消失——同时还比闪存快。
STT-MRAM是可望取代传统DRAM、SRAM的新世代存储器技术。与目前的NAND Flash相比，写入速度快上10万倍，而读取速度则是快上接近10倍。由于STT-MRAM只要透过少量电力就可以驱动的非挥发性存储器，不使用时也完全不需要电力。
MRAM的另外一项特征是寿命时间***。NAND Flash反覆读写后，寿命就会大幅缩短。虽然最近靠着技术的发展，已经延长了NAND Flash的使用寿命，但仍未出现颠覆性的改善技术。
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